鵬城半導體技術（深圳）有限公司

熱絲法化學氣相沉積CVD金剛石（熱絲CVD金剛石設備）

鵬城半導體研發設計制造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產型設備兩類。

設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜的研發和生產?？捎糜诹W級別、熱學級別、光學級別、聲學級別的金剛石產品的研發生產。

可以制造大尺寸金剛石多晶晶圓片，用于大功率器件、高頻器件及大功率激光器的散熱熱沉。

可用于生產制造防腐耐磨硬質涂層；環保領域污水處理用的金剛石產品。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規則表面的金剛石硬質涂層制備。

可用于太陽能薄膜電池的研發與生產。

平面工作尺寸

圓形平面工作的尺寸：φ600mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據鍍膜室的長度確定（如：工件長度1200mm）。

配置冷水樣品臺。

可單面鍍膜也可雙面鍍膜。

熱絲電源功率

可達300KW，1KW ～300KW可調（可根據用戶工藝需求配置功率范圍）

設備安全性

-電力系統的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-冷卻循環水系統壓力檢測和流量檢測與報警保護

-設置水壓檢測與報警保護裝置

-設置水流檢測報警裝置

設備構成

真空室構成

雙層水冷結構，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據工件尺寸和數量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調

樣品臺

可水冷、可加偏壓、可旋轉、可升降 ，由調速電機控制，可實現自動升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內可調），要求升降平穩,上下波動不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度100%)

CH4(200sccm，濃度100%)

B2H6（50sccm，H2濃度99%）

Ar(1000sccm，濃度100%)

真空獲得及測量系統

控制系統及軟件

生產型熱絲CVD金剛石設備

可制備金剛石面積-寬600*1200mm

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

公司核心業務是微納技術與精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備先進的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發鍍膜機

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD

|超高真空系列

分子束外延系統（MBE）、激光分子束外延系統（LMBE）

|太陽能薄膜電池設備（PECVD+磁控濺射）

團簇式太陽能薄膜電池中試線

|團簇式OLED中試與科研設備（G1、G2.5）

|其它

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備

|真空專用電源

高精度束源爐電源、高能脈沖電源、直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發電源

團隊部分業績分布

完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

采用熱絲法，設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與生產。還可用于太陽能薄膜電池的研發與生產?，F使用單位中科院金屬研究所、哈爾濱工業大學（深圳）。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試?，F使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發儀研究型設備?，F使用單位武漢理工大學。

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