鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體），由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新引領與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
公司核心業務是微納技術與高端精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。
公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備先進的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。
公司已投放市場的部分半導體設備
|物理氣相沉積（PVD）系列
磁控濺射鍍膜機、電子束鍍膜機、熱蒸發鍍膜機，激光沉積設備PLD、離子束濺射鍍膜機、磁控與離子束復合鍍膜機
|化學氣相沉積（CVD）系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD
|超高真空系列
分子束外延系統（MBE）、激光分子束外延系統（LMBE）
|成套設備
團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）
|其它
金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備
|真空鍍膜機專用電源/真空鍍膜機控制系統及軟件
直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發電源、高能直流脈沖電源（中頻可調脈寬）
控制系統及軟件
團隊部分業績分布
完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到2×10∧-8Pa。典型用戶：浙江大學光學儀器國家重點實驗室。
采用磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積PECVD技術，設計制造了團簇式太陽能薄膜電池中試線。典型用戶：中科院電工所。
采用熱絲法，設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與生產。典型用戶：中國科學院金屬研究所。
設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試。典型用戶：武漢國家光電實驗室。
設計制造了科研型的磁控濺射儀，典型用戶：南方科技、哈爾濱工業大學、南京大學、浙江大學、南開大學、武漢理工大學。
設計制造了磁控濺射生產型設備，用于半導體器件的生產，典型用戶：武漢光迅科技有限公司、深圳彩煌熱電技術公司。
設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備。典型用戶：香港城市大學先進材料實驗室、吉林奧來德光電材料股份有限公司。
設計制造了電子束鍍膜機。典型用戶：武漢理工大學、南方科技大學、中國計量大學。
設計制造了高真空電阻熱蒸發鍍膜機、高真空電極制備鍍膜機。典型用戶：江蘇大學、北京大學。
團隊在第三代半導體裝備及工藝方面的技術積累
2001年與南昌大學合作
設計了中試型的全自動化監控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年與浙江大學光學儀器國家重點實驗室合作
設計制造了第一臺完全自主知識產權的分子束外延設備，用于外延光電半導體材料。
2006年與中國科技大學合作
設計設計超高溫CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生長。
2007年與蘭州大學物理學院合作
設計制造了光學級金剛石生長設備（采用熱激發技術和CVD技術）。
2015年中科院金屬研究所沈陽材料科學國家（聯合）實驗室合作
制造了金剛石外延設備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜。
2017年
-優化Rheed設計，開始生產型MBE設計。
-開始研制PVD方法外延GaN的工藝和裝備，目前正在進行設備工藝驗證。
2019年
設計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產設備。
2021年 MBE生產型設計。
2022年 大尺寸金剛石晶圓片制備（≥Φ6英寸）。
2023年PVD方法外延氮化鎵裝備與工藝攻關。
|
產品分類