鵬城半導體技術（深圳）有限公司

小型LPCVD設備

LPCVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。

設備結構及特點

1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本

兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。

基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。

基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4英寸標準基片。

2、設備為水平管臥式結構

由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統，量值準確，性能穩定、可靠。

設備主要技術指標

成膜類型	Si3N4、Poly-Si、SiO2等
溫度	1200℃
恒溫區長度	根據用戶需要配置
恒溫區控溫精度	≤±0.5℃
工作壓強范圍	13～1330Pa
膜層不均勻性	≤±5％
基片每次裝載數量	標準基片:1～3片;不規則尺寸散片:若干
壓力控制	閉環充氣式控制
裝片方式	手動進出樣品

生產型LPCVD設備簡介

設備功能

該設備是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。

可提供相關鍍膜工藝。

設備結構及特點：

設備為水平管臥式結構，由石英管反應室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統、真空系統、氣路系統、溫控系統、壓力控制系統及氣瓶柜等系統組成。

反應室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設備電控部分采用了先進的檢測和控制系統，量值準確，性能穩定、可靠。

整個工藝過程由計算機對全部工藝流程進行管理，實現爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數進行監測和自動控制。也可以手動控制。

設備主要技術指標

成膜類型	Si3N4、Poly-Si、SiO2等
溫度	1200℃
恒溫區長度	根據用戶需要配置
恒溫區控溫精度	≤±0.5℃
工作壓強范圍	13～1330Pa
膜層不均勻性	≤±5％
基片每次裝載數量	100片
設備總功率	16kW
冷卻水用量	2m3/h
壓力控制	閉環充氣式控制
裝片方式	懸臂舟自動送樣

LPCVD軟件控制界面

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。

公司核心業務是微納技術與精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。

公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備先進的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發鍍膜機，激光沉積設備PLD

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統（MBE）、激光分子束外延系統（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備

|真空鍍膜機專用電源/真空鍍膜機控制系統及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發電源、高能直流脈沖電源（中頻可調脈寬）

控制系統及軟件

團隊部分業績分布

完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產設備?，F使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F使用單位香港城市大學先進材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試?，F使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發儀研究型設備?，F使用單位武漢理工大學。

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