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高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
設備關鍵技術特點
秉承設備為工藝實現提供實現手段的理念，我們做了如下設計和工程實現，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現提供了精準的工藝設備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結合處理
-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發熱升溫，降低鍍膜質量。
-靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。
-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。
距離可調整
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。
角度可調
磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做精準調控。
集成一體化柜式結構
一體化柜式結構優點：
安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）
占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。
控制系統：用計算機＋PLC兩級控制系統
安全性
-電力系統的檢測與保護
-設置真空檢測與報警保護功能
-溫度檢測與報警保護
-冷卻循環水系統的壓力檢測和流量
-檢測與報警保護
勻氣技術
工藝氣體采用勻氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。
基片加熱技術
采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。
真空度更高、抽速更快
真空室內外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。
高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）設備詳情
設備結構及性能
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉、可加熱
6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動
工作條件
| 類型 | 參數 | 備注 |
|---|---|---|
| 供電 | ～ 380V | 三相五線制 |
| 功率 | 根據設備規模配置 | |
| 冷卻水循環 |
根據設備規模配置 |
|
| 水壓 | 1.5 ～ 2.5×10^5Pa | |
| 制冷量 | 根據扇熱量配置 | |
| 水溫 | 18～25℃ | |
| 氣動部件供氣壓力 | 0.5～0.7MPa | |
| 質量流量控制器供氣壓力 | 0.05～0.2MPa | |
| 工作環境溫度 | 10℃～40℃ | |
| 工作濕度 | ≤50% |
高真空磁控濺射儀（磁控濺射鍍膜機）
設備主要技術指標
-基片托架：根據供件大小配置。
-基片加熱器溫度：根據用戶供應要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調。
-基片架公轉速度 ：2 ～100 轉 / 分鐘，可控可調；基片自轉速度：2 ～20 轉 / 分鐘。
-基片架可加熱、可旋轉、可升降。
-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調。
-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。
-鍍膜室的極限真空：6X10∧-5Pa，恢復工作背景真空 7X10∧-4Pa ，30 分鐘左右（新設備充干燥氮氣）。
-設備總體漏放率：關機 12 小時真空度≤10Pa。
1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7