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通過認證 
多功能磁控濺射鍍膜機（高真空磁控濺射儀）是用磁控濺射的方法，制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等；適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系及合金膜；可鍍制磁性材料和非磁性材料。
設備關鍵技術特點
秉承設備為工藝實現提供實現手段的理念，我們做了如下設計和工程實現，實際運行效果良好，為用戶的專用工藝實現提供了的工藝設備方案。
靶材背面和濺射靶表面的結合處理
-靶材和靶面直接做到面接觸是很難的，如果做不到面接觸，接觸電阻將增大，導致離化電場的幅值不夠（接觸電阻增大，接觸面的電場分壓增大），導致鍍膜效果不好；電阻增大導致靶材發熱升溫，降低鍍膜質量。
-靶材和靶面接觸不良，導致水冷效果不好，降低鍍膜質量。
-增加一層特殊導電導熱的軟薄的物質，保證面接觸。
距離可調整
基片和靶材之間的距離可調整，以適應不同靶材的成膜工藝的距離要求。
角度可調
磁控濺射靶頭可調角度，以便針對不同尺寸基片的均勻性，做調控。
集成一體化柜式結構
一體化柜式結構優點：
安全性好（操作者不會觸碰到高壓部件和旋轉部件）
占地面積小，尺寸約為：長1100mm×寬780mm（標準辦公室門是800mm寬）（傳統設備大約為2200mm×1000mm），相同面積的工作場地，可以放兩臺設備。
控制系統
采用計算機＋PLC兩級控制系統
安全性
-電力系統的檢測與保護
-設置真空檢測與報警保護功能
-溫度檢測與報警保護
-冷卻循環水系統的壓力檢測和流量
-檢測與報警保護
勻氣技術
工藝氣體采用勻氣技術，氣場更均勻，鍍膜更均勻。
基片加熱技術
采用鎧裝加熱絲，由于通電加熱的金屬絲不暴露在真空室內，所以高溫加熱過程中不釋放雜質物質，保證薄膜的純凈度。鎧裝加熱絲放入均溫器里，保證溫常的均勻，然后再對基片加熱。
真空度更高、抽速更快
真空室內外，全部電化學拋光，完全去除表面微觀毛刺叢林（在顯微鏡下可見），沒有微觀藏污納垢的地方，腔體內表面積減少一倍以上，鍍膜更純凈，真空度更高，抽速更快。
設備詳情
設備結構及性能
1、單鍍膜室、雙鍍膜室、單鍍膜室＋進樣室、鍍膜室+手套箱
2、磁控濺射靶數量及類型：1 ～ 6 靶，圓形平面靶、矩形靶3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
3、靶的安裝位置：由下向上、由上向下、斜向、側向安裝
4、磁控濺射靶：射頻、中頻、直流脈沖、直流兼容
5、基片可旋轉、可加熱
6、通入反應氣體，可進行反應濺射鍍膜7、操作方式：手動、半自動、全自動
工作條件
| 供電 | ～ 380V | 三相五線制 |
| 功率 | 根據設備規模配置 | |
| 冷卻水循環 |
根據設備規模配置 |
|
| 水壓 | 1.0 ～ 1.5×10^5Pa | |
| 制冷量 | 根據扇熱量配置 | |
| 水溫 | 18～25℃ | |
| 氣動部件供氣壓力 | 0.5～0.7MPa | |
| 質量流量控制器供氣壓力 | 0.05～0.2MPa | |
| 工作環境溫度 | 10℃～40℃ | |
| 工作濕度 | ≤50% |
設備主要技術指標
-基片托架：根據供件大小配置。
-基片加熱器溫度：根據用戶供應要求配置，溫度可用電腦編程控制，可控可調。
-基片架公轉速度 ：2 ～100 轉 / 分鐘，可控可調；基片自轉速度：2 ～20 轉 / 分鐘。
-基片架可加熱、可旋轉、可升降。
-靶面到基片距離： 30 ～ 140mm 可調。
-Φ2 ～Φ3 英寸平面圓形靶 2 ～ 3 支，配氣動靶控板，靶可擺頭調角度。
-鍍膜室的極限真空：6X10^-5Pa，恢復工作背景真空 7X10^-4Pa ，30 分鐘左右（新設備充干燥氮氣）。
-設備總體漏放率：關機 12 小時真空度≤10Pa。
關于我們
鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業大學（深圳）與有多年實踐經驗的工程師團隊共同發起創建。公司立足于技術前沿與市場前沿的交叉點，尋求創新與可持續發展，解決產業的痛點和國產化難題，爭取產業鏈的自主可控。
公司核心業務是微納技術與精密制造，具體應用領域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發設計和生產制造。
公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業界的高級裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產制造的經驗。
公司依托于哈爾濱工業大學（深圳），具備先進的半導體研發設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發、生產、調試以及半導體材料與器件的中試、生產、銷售的能力。
公司已投放市場的部分半導體設備
|物理氣相沉積（PVD）系列
磁控濺射、電子束、熱蒸發鍍膜機
|化學氣相沉積（CVD）系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、熱絲CVD
|超高真空系列
分子束外延系統（MBE）、激光分子束外延系統（LMBE）
|太陽能薄膜電池設備（PECVD+磁控濺射）
團簇式太陽能薄膜電池中試線
|團簇式OLED中試與科研設備（G1、G2.5）
|其它
金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質涂層設備、磁性薄膜設備、電極制備設備
|真空專用電源
高精度束源爐電源、高能脈沖電源、直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發電源
團隊部分業績分布
完全自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）、射頻源等關鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。
設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至今仍在正常使用。
設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯合系統，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。
采用熱絲法，設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與生產。還可用于太陽能薄膜電池的研發與生產?，F使用單位中科院金屬研究所、哈爾濱工業大學（深圳）。
設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F使用單位國家光電實驗室。
設計制造了OLED有機半導體發光材料及器件的研究和中試成套裝備?，F使用單位香港城市大學先進材料實驗室。
設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現LED無機半導體發光材料與器件的研究和中試?，F使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。
設計制造了磁控濺射研究型設備?，F使用單位浙江大學半導體所。
設計制造了電子束蒸發儀研究型設備?，F使用單位武漢理工大學。
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